جمع التبرعات 15 سبتمبر 2024 – 1 أكتوبر 2024
حول جمع التبرعات
البحث عن الكتب
الكتب
جمع التبرعات:
61.2% تم الوصول
تسجيل الدخول
تسجيل الدخول
المستخدمين المصرح لهم متاح لهم التالي:
توصيات شخصية
روبوت Telegram
تاريخ التنزيلات
إرسال إلي Email أو Kindle
إدارة المجموعات المختارة
حفظ في المفضلة
شخصي
طلبات الكتب
تعلم
Z-Recommend
قوائم الكتب المختارة
الأكثر شهرة
الفئات
مشاركة
التبرع والدعم
التحميلات
Litera Library
التبرع بالكتب الورقية
أضف كتبًا ورقية
Search paper books
LITERA Point الخاص بي
البحث عن الكلمات الرئيسية
Main
البحث عن الكلمات الرئيسية
search
1
Transistor en couches minces avec canal en oxyde d’indium de gallium et de zinc : matériaux, procédés, dispositifs
Clément Talagrand
tft
figure
films
couche
d’igzo
procédé
couches
transistors
igzo
température
conséquent
chap
substrat
matériaux
minces
réaliser
propriétés
matériau
mobilité
surface
résultats
tension
modèle
présente
grille
pulvérisation
recuit
transistor
cathodique
d’obtenir
faible
l’igzo
bande
porteurs
conducteur
déposés
d’encre
jet
valeurs
paragraphe
caractérisation
conduction
dispositifs
oxide
l’épaisseur
procédés
silicium
réalisation
zinc
résistivité
اللغة:
french
ملف:
PDF, 4.25 MB
الشعارات الخاصة بك:
0
/
0
french
1
ادخل علي
هذا الرابط
أو إبحث عن البوت "@BotFather" في Telegram
2
أرسل الأمر /newbot
3
أدخل إسمًا للبوت الخاص بك
4
أدخل إسم المستخدم للبوت
5
انسخ الرسالة الأخيرة من BotFather والصقها هنا
×
×